TPS1120D
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Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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375+ | $1.6926 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 10V |
Leistung - max | 840mW |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.45nC @ 10V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 15V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.17A |
Konfiguration | 2 P-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | TPS1120 |
TPS1120D Einzelheiten PDF [English] | TPS1120D PDF - EN.pdf |
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
SENSOR PHOTO 900NM TOP VIEW 1206
LED INDICATION SMD
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
LED
MOSFET P-CH 15V 2.18A 16TSSOP
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() TPS1120DN/A |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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